ONKYO　　パワーアンプ　　M-509

          ONKYO Integra M-509

出力段は3段ダーリントン構成でHigh f_Tパワートランジスタを使用しています。
さらに、パワートランジスタの動作特性をオンキョー独自のリニア・スイッチング方式として、歪率の向上を図っており、Bクラス動作ながらAクラスに近い特性を得ています。

電源部には、トランスに超大型のツインワインド方式を採用するとともに、電源コンデンサも入念なヒアリングと物性との相関関係を追及してオーディオ用に設計されたものを採用しています。このコンデンサの特性は歪率:10kHzでの第3高周波レベル-150dB以上、引き出しリードや端子部等のトータルの等価直列抵抗(E・S・R)0.009Ω以下、損失tanδ0.25以下と、低く設計されています。
また各ユニットセクションへの給配電、アースライン等は銅厚板によるブス(母線)ラインを用いるなど、徹底したローインピーダンス化を図っています。

連続的な大振幅動作から小振幅動作への急激な変化などにより、ファイナルの各ブロック間で熱容量の違いから、熱傾斜が生じます。
これが原因でパワー部のバイアス電流値を不安定にし、ローレベル信号の再生に影響が生じるのを防ぐため、出力段に3ポイント・センシングバイアス回路を設け、プリドライバー段、ドライバー段、パワートランジスタの3ヶ所の温度差を検出し、バイアスをコントロールすることで、安定した定歪率駆動を可能にしています。

各パーツ類やリード、半田にいたるまで、徹底したヒアリングによる吟味を繰り返したパーツを採用しています。