2台のパワーMOS FET 8パラレル・ プッシュプルユニットを完全並列構成により1,200W/1Ω、600W/2Ω、300W/4Ω、150W/8Ωのリニアパワーを実現。
新製品M-6000はM-8000の後継機として新たな観点からパワーアンプを見詰め直してパワーアンプの理想形を追求、音に対するこだわりと魅力溢れる音を目指し、大型ヒートシンクを両サイド外装とした、本格的「モノフォニック・パワーアンプ」として誕生いたしました。なお、一層の性能・音質の向上を図ると同時に、一人でもセッティング可能な形状・重量を目指しました。
モノフォニック・パワーアンプはスピーカー駆動の観点から、また放熱の面でもステレオアンプに比べて有利になり、最高峰システムを構築することが出来ます。
M-6000が今までのアンプと決定的に異なるところは、2台の完全同一回路のパワーアンプ・ユニットを並列動作させたことです。
従来は最終部のみの並列ドライブでしたが、さらに理想的なスピーカー駆動を実現するため、独立したパワーアンプ・ユニットを筐体の左右に配置して、これを並列駆動させることに成功しました。この完全並列動作により出力電流を大きくすることができ、極めて低出力インピーダンスのパワーアンプを実現。この結果DF（ダンピング・ファクター）500以上を達成することができました。更に入力部の並列動作により、ノイズレベルが下がりSN比の大幅な改善に寄与しています。
大出力アンプは、電源関連や発熱状況が激しく変化するため、どのような環境に対しても回路動作が安定でなければなりません。
M-6000のパワーアンプ並列ドライブの実現を可能にしたのは、①高周波特性の優れたパワーMOS FETの採用、②「Double MCS+回路」の搭載が大きな要素を占めています。
パワーMOS FETは高周波特性に優れ、また単独で温度変化に対して負の特性を持つ素子で、左右に配置したパワーアンプ・ユニットの温度上昇時の温度バランス・コントロールが容易となり、環境の変化に対して左右のユニットを安定に動作を安定に動作させる事が可能になりました。
そして「Double MCS+回路」の採用は、カレント・フィードバック回路により個々のユニットの安定性を維持しながら、更に全体としての性能を高めています。その結果、可聴帯域から高周波領域まで完全に位相管理されたユニットを実現することができました。
これらを並列動作することにより極めて安定な動作と低雑音化を図り、SN比やひずみ率など諸特性を大幅に改善、より一層性能・音質を向上させています。
激しく変動するスピーカーのインピーダンス、しかしこのインピーダンスに影響されないでスピーカーに秘められた表現力を100％引き出すには、スピーカーを「低電圧駆動」しなければなりません。つまりアンプ出力の「低インピーダンス化」です。
低インピーダンス化は同時に、ヴォイスコイルから発生する逆起電力を吸収しIMひずみの発生を防ぐことができます。
本機は徹底的に吟味した最高グレードの素材を投入、強力な電源部と魅力的な音色を持つ出力素子、パワーMOS FET 16パラレル・プッシュプル構成により、アンプ出力の「低インピーダンス化を実現しました。
さらにインスツルメンテーション・アンプ方式を導入し、アンプ内部の信号経路をフルバランス伝送化しています。
これらの動作を支えるのが、放熱構造のダイキャストケースに収納された高効率大型トロイダル・トランスと、大容量フィルター・コンデンサーです。
電源トランスは定格：900VA、コンデンサーは48,000μF×2を搭載し、激変する供給パワーにびくともしません。
また、本機は2台をブリッジ接続して、さらに大出力モノフォニック・アンプにアップ・グレードすることが可能です。 （上左 写真はプロテクションアッセンブリー）
電気的・音質的に重要な要素を占めているプリント基板に、低誘電率・低損失の「テフロン基材（ガラスフッ素樹脂素材）を採用し、徹底した高音質再生を追及しました。
基板銅箔面には金プレートを施し万全を期しています。
さらに外来誘導雑音を受けにくいバランス入力端子の装備、プリントボードの銅箔面や入出力端子、音楽信号の通過する主要な部分に金プレートを施すなど、音の純度を徹底的に磨き上げました。
以上 新製品資料より
